Nano micro semiconductor launches the world‘s first intelligent ganfast gallium nitride power chip
近日，纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了纳微氮化镓功率芯片技术的节能和快充优势。
纳微半导体销售运营总监Edwin指出，“氮化镓器件开关速度比传统的硅器件快20倍，在尺寸和重量减半的情况下，可实现高达3倍的功率和3倍的充电速度。”纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片集成了氮化镓器件和驱动以及保护和控制功能，提供简单、小型、快速和高效的性能表现。
氮化镓功率芯片集成以后带来什么好处呢？
纳微半导体高级应用总监黄秀成介绍到，“纳微的功率氮化镓器件，集成了控制、驱动和保护在里面，就可以不依赖于外部集成参数影响，开关频率可以充分地释放，目前我们主流的开关频率在电源适配器这块是300-400kHz，在模块电源已经有客户设计到了MHz，所以，经过集成的方案之后，开关频率、开关速度的潜能被释放，所以我们设计出来的功率密度比传统的硅或者分立式的氮化镓高了好多，目前我们有好多产品远远大于1W/cc的数字。”
也是基于芯片集成的理念，纳微推出的GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，包括电流和温度的感知。这项技术实现了正在申请专利的无损耗电流感应能力。纳微半导体指出，与前几代产品相比，GaNSense 技术可额外提高10%的节能效果，并能够进一步减少外部元件数量，缩小系统的尺寸。此外，如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险，该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态，以保护器件和周围系统。
同时，GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。这对越来越多积极追求环保的客户来说尤为重要。
凭借业界最严格的电流测量精度和GaNFast响应时间，GaNSense技术缩短50%的危险时间，危险的过电流峰值降低50%。GaNFast氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作，没有 "振铃"，从而提高了系统可靠性。
纳微半导体联合创始人兼首席运营官/首席技术官Dan Kinzer表示：“从检测到保护只需30纳秒，GaNSense技术比分立式的氮化镓功率芯片的实现方案快 600%。纳微半导体下一代采用GaNSense技术的GaNFast氮化镓功率芯片产品，对潜在的系统故障模式提供了高度准确和有效的防护。再加上对高达800V的瞬态电压的免疫力以及严格的栅极波形控制和电压调节，这些功能只有通过我们专有的工艺设计套件才能实现，重新定义了功率半导体中可靠性、坚固性和性能的新标准。”
据介绍，采用 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V，具有2kV ESD保护。新的GaNFast功率芯片的RDS(ON)范围为120至450毫欧，采用5 x 6 mm或6 x 8 mm PQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。
目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器，估计每年有20亿美元的氮化镓市场机会，以及每年20亿美元的消费市场机会，包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。GaNSense技术已被用于部分一线消费电子品牌的氮化镓充电器上。
值得一提的是，纳微半导体目前已经有超过3000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片出货，在现场测试实现了超过1160亿个设备小时，并且没有任何关于GaN现场故障的报告。与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省4千克的二氧化碳排放。
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