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发布日期:2022-05-01 点击次数:2195

CST8002D特性:

VDD=5V，RL=3Ω，Po=3W，THD+N≤10%

宽工作电压范围1.8V—5.5V

优异的上掉电POP声抑制

无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络

单位增益稳定

CST8002D采用SOP8封装

CST8002D原理框图:

CST8002D典型应用电路:

注: 以上应用图中元件说明：

Ci：隔直电容，采用 0.39µF或更小的,进一步消除咔嗒-噼噗声和从输入端耦合进入的噪声。

Cs：电源去耦电容，采用足够低ESR的电容(小于 1µF),当VDD=5V时，为更好的滤除低频噪声，建议另加一个低ESR电容（不小于 10µF）。去耦电容离VDD管脚越近越好，保持 1.5mm之内。

CB ： BYPASS端口输出VDD/2 电压，通过电容CB (1µF)接地以保证稳定性。

CST8002D引脚分布图:

CST8002D封装尺寸:
SOP8: