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CLASS AB/D Boost Power Amplifier

CS5230E

    CS5230E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5W的连续功率;
    CS5230E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的 数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;
    CS5230E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受,CS5230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.
    CS5230E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
    CS5230提供了ESOP10的封装类型。
    CS5230概述:
        CS5230E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供最高5W的连续功率;
        CS5230E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的 数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;
        CS5230E具有独特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受,CS5230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.
        CS5230E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5230E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5230E的全差分架构和极高的PSRR有 效地提高了CS5230E对RF噪声的抑制 能力。
        另外CS5230E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
        CS5230提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度 范围为-40℃至85℃。

    CS5230特性:
    集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放
    先进的电源自适应功能,
    输出功率
      Po at  VBAT = 5.0V,  RL=4Ω+33uH
          THD+N=10%   5.2W(NCN OFF@D MODE)
          THD+N=1%  4.3W(NCN OFF@D MODE)
      Po at  VBAT = 4.2V,  RL=4Ω+33uH
          THD+N=10%   4.8W(NCN OFF@D MODE)
          THD+N=1%  4.1W(NCN OFF@D MODE)
      Po at  VBAT = 3.6V,  RL=4Ω+33uH
          THD+N=10%   3.45W(NCN OFF@D MODE)
          THD+N=1%  3.00W(NCN OFF@D MODE)
    输入电压范围:2.7~5.5V
    关断电流: <1μA
    待机电流: 3mA
    D类调制频率: 300KHz
    防破音模式开关
    AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
    优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
    高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB
    过温保护
    过压保护
    CS5230提供ESOP10封装

    CS5230应用:
    蓝牙音箱
    便携式音频设备

    CS5230典型应用原理图:


    CS5230引脚分布:



    CS5230引脚定义:




    CS5230原理框图:


    CS5230封装图:
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