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CLASS AB/D Switchable Power Amplifier

CS8571E

    CS8571E是一款FM无干扰、AB类功放D类功放两种模式可切换的5.5W单声道音频放大器。
    CS8571E采用独创的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCCPart15 Class B标准下仍然具有超过20dB的裕量.
    CS8571E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
    CS8571E提供了带散热片的ESOP8封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
    CS8571/CS8571E规格书下载

    CS8571/CS8571E概述:
        CS8571E是一款FM无干扰、AB类功放D类功放两种模式可切换的5.5W单声道音频放大器。
        CS8571E采用独创的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCCPart15 Class B标准下仍然具有超过20dB的裕量.
        CS8571E无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本,并简化了设计。高达90%的效率,快速启动时间和纤小的封装尺寸使得CS8571E成为便携式音频产品的绝佳选择。
        CS8571E内置了过流保护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
        CS8571E提供了带散热片的ESOP8封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
        CS8571E在D类模式下无需滤波器的PWM调制结构减少了外部元件数目,PCB面积和系统成本,并且简化了设计。芯片内置了过流保护,过热保护和欠压保护功能,这些功能保证了芯片在异常的工作条件下关断芯片,有效地保护了芯片不被损坏,当异常条件消除后,CS8571E有自恢复功能可以让芯片重新工作。输出晶体管的开关工作方式决定了CS8571E D类放大器的高效率。
        在D类模式下,输出晶体管就像是一个电流调整开关,切换过程中消耗的额外功率基本可以忽略不计。输出级相关的功率损耗主要是由MOSFET导通电阻与电源电流产生的I R。
        CS8571E的效率可达90%。CS8571E的D类模式采用无需滤波器的PWM调制方式,省去了传统D类放大器的LC滤波器,提高了效率,为便携式设备的音频子系统提供了一个更小面积,更低成本的实现方案。
        CS8571E内置专有的时序控制电路,实现全面的Pop &Click抑制,可以有效地消除系统在上电,下点,Wake up和Shutdown操作时可能会出现的瞬态噪声。
        CS8571E在应用的过程中,当芯片发生输出管脚和电源或地短路,或者输出之间的短路故障时,过流保护电路会关断芯片以防止芯片被损坏。短路故障消除后,CS8571自动恢复工作。当芯片温度过高时,芯片也会被关断。温度下降后,CS8571E可以继续正常工作。当电源电压过低时,芯片也将被关断,电源电压恢复后,芯片会再次启动。B类,D类切换控制功能使用MODE管脚控制。脚 置 高 的 时 候 ,CS8571E工作在D类的模式之下 ;MODE管脚置低的时候,CS8571E工作在AB类的模式之下.CS8571E是一款高性能的AB类/D类集成的音频放大器,电源端需要加适当的电源供电去耦电容来确保其高效率和最佳的总谐波失真。同时为得到良好的。去耦电容在布局上应该尽可能的靠近芯片的V DD 放置。把去耦电容放在与CS8571E较近的地方对于提高CS8571E的效率非常重要。因为器件和电容间的任何电阻或自感都会导致效率的降低。如果希望更好的滤掉低频噪音,则需要根据具体应用添加一个10uF或者更大的去耦电容。


    CS8571/CS8571E特性:
    输出功率
        P at 10% THD+N, V DD = 5V O
        RL = 4 Ω 3.40W(典型值)
        RL = 2 Ω 5.50W(典型值)
        P at 10% THD+N, V DD = 3.6V O
        RL = 4 Ω 1.70W(典型值)
        RL = 2 Ω 2.42W(典型值)
    AB类/D类工作模式切换功能
    独创的AERC技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力
    优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
    优异的低噪抑制功能
    工作电压范围:2.5V到5.5V
    无需滤波的Class-D结构
    高达90%的效率
    高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为72dB
    快速的启动时间 (35ms)
    低静态电流 (3mA)
    低关断电流 (<0.1µA)
    过流保护,短路保护和过热保护
    CS8571/CS8571E符合Rohs标准的无铅封装


    CS8571/CS8571E典型应用电路图:

    CS8571/CS8571E引脚排列

     
    CS8571/CS8571E引脚定义


    CS8571/CS8571E封装图:
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