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双N-MOS

CST8V06S SOP8

    CST8V06S是BVDSS=60V,RDSON=25mΩ,ID=8.0A的双N沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
    CST8V06S是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST8V06S符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST8V06S 描述:
        CST8V06S是BVDSS=60V,RDSON=25mΩ,ID=8.0A的双N沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
        CST8V06S是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST8V06S符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST8V06S 特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST8V06S 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    25

    8.0A


    CST8V06S SOP8 引脚配置:
    CST8V06S SOP-8 包装信息:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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