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CST20G04是N-ch：BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A；P-ch：BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。

CST20G04是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。

CST20G04符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到批准。

CST20G04 描述:

CST20G04是N-ch：BVDSS=20V,RDSON=22mΩ,ID=5A；P-ch：BVDSS=-20V,RDSON=55mΩ,ID=-3.6A的N+P双沟道快速切换Mosfet。提供SOT23-6L封装。

CST20G04是性能最高的沟槽N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。

CST20G04符合RoHS和绿色产品要求，100%EAS保证，全功能可靠性得到批准。

CST20G04 特点:

先进的高细胞密度挖沟技术

超低栅极电荷

出色的CdV/dt效应下降

绿色设备可用

CST20G04 应用:

半桥和逆变器的功率管理

DC-DC转换器

负载开关

CST20G04 产品概述:

CST20G04 SOT 23-6L 引脚配置:

CST20G04 SOT23-6L封装信息: