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单N-MOS

AKG10N220KL TO252

    AKG10N220KL是VDS=100V,RDSON=22mΩ,ID=35A的N-ch SGT Mosfet。提供TO252封装。
    这种N沟道SGT MOSFET被设计成非常低的导通状态电阻,并保持卓越的开关性能,特别是用于高效功率管理应用。
    AKG10N220KL 描述:
        AKG10N220KL是VDS=100V,RDSON=22mΩ,ID=35A的N-ch SGT Mosfet。提供TO252封装。
        这种N沟道SGT MOSFET被设计成非常低的导通状态电阻,并保持卓越的开关性能,特别是用于高效功率管理应用。

    AKG10N220KL 特性:
    RDS低(ON)
    超低导通电阻
    符合RoHS(注1)
    无卤素(注1)

    AKG10N220KL 应用:
    电池管理系统
    电机驱动器
    DC-DC转换器


    AKG10N220KL 关键性能参数:
    参数
    数值
    单位

    VDS

    100

    V

    RDSON,max@VGS=10V

    22

    ID

    35

    A


    AKG10N220KL 订购信息:
    型号
    封装
    丝印
    包装形式
    最小包装

    AKG10N220KL

    TO252

    G10N220KL

    Tape Reel

    2500PCS


    AKG10N220KL 测试电路和波形:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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