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MXB040N10是VDS=100V, ID=128A，RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N沟道增强模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封装。

MXB040N10采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作。该装置适用于各种各样的应用。

MXB040N10 Description/描述：

MXB040N10是VDS=100V, ID=128A，RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V的N沟道增强模式功率Mosfet。提供TO-263-3L封装。

MXB040N10采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作。该装置适用于各种各样的应用。

MXB040N10 Features/特征:

VDS=100V, ID=128A

RDS(ON)(Typ.)=4.0mΩ @ VGS=10V

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

MXB040N10 Application/应用：

不间断电源

硬开关和高频电路

MXB040N10 Pinout/引脚：

MXB040N10 Ordering Information/订购信息：

型号	存储温度	封装	最小数量
MXB040N10	-55°C to 175°C	TO-263	800

MXB040N10 Test Circuits/测试电路：