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单N-MOS

CST10N10S SOP8

    CST10N10S是BVDSS=100V,RDSON=88mΩ,ID=10A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
    CST10N10S是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST10N10S符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST10N10S 描述:
        CST10N10S是BVDSS=100V,RDSON=88mΩ,ID=10A的N沟道快速切换Mosfet。提供SOP8封装。
        CST10N10S是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST10N10S符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST10N10S 特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST10N10S 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    100V

    88

    10A


    CST10N10S SOP8 引脚配置:
    CST10N10S SOP-8 包装数据:
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