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单N-MOS

CST30N20F PDFN5060-8L

    CST30N20F是BVDSS=200V,RDSON=57mΩ,ID=30A的N沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
    CST30N20F是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST30N20F符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST30N20F 描述:
        CST30N20F是BVDSS=200V,RDSON=57mΩ,ID=30A的N沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
        CST30N20F是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST30N20F符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST30N20F 特点:
    超低栅极电荷
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST30N20F 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    200V

    57

    30A


    CST30N20F PDFN5060-8L 引脚配置:
    CST30N20F 测试电路:
    雪崩测试电路:
    切换时间测试电路:
    栅极充电测试电路:
    CST30N20F PDFN5060-8L包装数据:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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