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单N-MOS

CST50N10H TO252

    CST50N10H是BVDSS=100V,RDSON=15mΩ,ID=50A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST50N10H是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST50N10H符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。
    CST50N10H 描述:
        CST50N10H是BVDSS=100V,RDSON=15mΩ,ID=50A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST50N10H是性能最高的沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST50N10H符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性获得批准。

    CST50N10H 特点:
    超低栅极电荷
    绿色设备可用
    出色的Cdv/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术
    CST50N10H 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    100V

    15

    50A


    CST50N10H TO252 引脚配置:
    CST50N10H 测试电路:


    CST50N10H 包装数据:
    CST50N10H TO-252-4R卷盘规格:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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