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单N-MOS

HYG030N03LQ1C2

    HYG030N03LQ1C2是VDS=30V,RDS(ON)=2.4mΩ(typ.) @VGS=10V,RDS(ON)=3.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V, Id=100A的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN5*6封装。
    HYG030N03LQ1C2 描述:
        HYG030N03LQ1C2是VDS=30V,RDS(ON)=2.4mΩ(typ.) @VGS=10V,RDS(ON)=3.5mΩ(typ.)@VGS=4.5V, Id=100A的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN5*6封装。

    HYG030N03LQ1C2 特点:
    * 30V/100A
      RDS(ON)=2.4mΩ (typ.)@VGS=10V
      RDS(ON)=3.5mΩ (typ.)@VGS=4.5V
    * 100%雪崩测试
    * 可靠耐用
    * 提供无卤素设备(符合RoHS标准)

    HYG030N03LQ1C2 应用:
    * 蓄电池保护
    * 负载开关

    HYG030N03LQ1C2 引脚配置:
    HYG030N03LQ1C2  测试电路:



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