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单N-MOS

CST50N06N TO252

    CST50N06N是BVDSS=60V,RDSON=13mΩ,ID=58A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
    CST50N06N是具有高单元密度的高性能互补N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
    CST50N06N符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。
    CST50N06N 描述:
        CST50N06N是BVDSS=60V,RDSON=13mΩ,ID=58A的N沟道快速切换Mosfet。提供TO252封装。
        CST50N06N是具有高单元密度的高性能互补N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供了出色的RDSON和栅极电荷。
        CST50N06N符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,并通过了全功能可靠性认证。

    CST50N06N 特点:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST50N06N 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    60V

    13

    58A


    CST50N06N TO252 引脚配置:
    CST50N06N TO-252封装信息:
    CST50N06N TO-252卷盘规格:
    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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