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HYG210P06LQ1D/U/V是VDS=-60V,ID=-40A,RDS(ON)=19mΩ(typ.) @VGS=-10V,RDS(ON)=25mΩ(typ.) @VGS=-4.5V的P沟道Mosfet。提供TO-252-2L，TO-251-3L，TO-251-3S封装。

HYG210P06LQ1D/U/V Description/概述：

HYG210P06LQ1D/U/V是VDS=-60V,ID=-40A,RDS(ON)=19mΩ(typ.) @VGS=-10V,RDS(ON)=25mΩ(typ.) @VGS=-4.5V的P沟道Mosfet。提供TO-252-2L，TO-251-3L，TO-251-3S封装。

HYG210P06LQ1D/U/V Feature/特性：

-60V/-40A

RDS(ON)=19mΩ(typ.) @VGS=-10V

RDS(ON)=25mΩ(typ.) @VGS=-4.5V

100% avalanche tested

Reliable and Rugged

Halogen Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)

HYG210P06LQ1D/U/V Applications/应用：

Power Management in DC/DC

Load switching.

Motor control.

HYG210P06LQ1D/U/V Pin Description：

HYG210P06LQ1D/U/V Avalanche Test Circuit：

HYG210P06LQ1D/U/V Switching Time Test Circuit：

HYG210P06LQ1D/U/V Gate Charge Test Circuit：

HYG210P06LQ1D/U/V Device Per Unit：