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单P-MOS

CST1216D DFN2020-6L

    CST1216D是BVDSS=-15V,RDSON=11.5mΩ,ID=-16A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
    CST1216D是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST1216D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。
    CST1216D描述:
        CST1216D是BVDSS=-15V,RDSON=11.5mΩ,ID=-16A的P沟道快速切换Mosfet。提供DFN2020-6L封装。
        CST1216D是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
        CST1216D符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性得到批准。

    CST90P01D特点:
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST1216D产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -15V

    11.5

    -16A


    CST1216D DFN2020-6L引脚配置:
    CST1216D测试电路:
    CST1216D DFN2020-6L封装信息:



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