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PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A，RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封装。

PED30D12MT采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。可用于各种应用。

PED30D12MT 描述:

PED30D12MT是VDS=30V, ID=12A，RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V，RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V的N通道增强模式电源Mosfet。提供PDFN3.3x3.3-8L封装。

PED30D12MT采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）和低栅极电荷。可用于各种应用。

PED30D12MT 一般功能:

VDS=30V, ID=12A

RDS(ON)<13mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<19mΩ@VGS=4.5V

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装组件

PED30D12MT 应用:

PWM应用

负载开关

电源管理

PED30D12MT 测试电路：

PED30D12MT PDFN3.3x3.3-8L 包装信息：