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单P-MOS

CST3019A PDFN5060-8L

    CST3019A是BVDSS=-30V,RDSON=8.3mΩ,ID=-55A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
    CST3019A是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。
    CST3019A概述:
        CST3019A是BVDSS=-30V,RDSON=8.3mΩ,ID=-55A的P沟道快速切换Mosfet。提供PDFN5060-8L封装。
        CST3019A是高单元密度沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。

    CST3019A 特点:
    100%EAS保证
    绿色设备可用
    超低栅极电荷
    出色的CdV/dt效应下降
    先进的高细胞密度沟槽技术

    CST3019A 产品概述:
    BVDSS
    RDSON
    ID

    -30V

    8.3

    -55A


    CST3019A PDFN5060-8L引脚配置:
    CST3019A PDFN5060-8L封装信息:

    请提交您的基本信息,发邮件Sales@ChipSourceTek.com,或者打电话给我们,13823761625(微信同号),我们将会尽快与您联系!

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